序 （師昌緒）
中國共產黨黨員，中國科學院院士，中國著名半導體材料學家、物理學家，中國半導體材料科學與技術的奠基人和開拓者，中國科學院半導體研究所研究員林蘭英院士因病醫治無效，于2003年3月4日13時36分在北京逝世，享年85歲。
林蘭英院士1918年2月7日出生，福建省莆田縣人。她1940年畢業于福建協和大學，1955年獲美國賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位；1957年回國后歷任中國科學院半導體研究所研究員、副所長，1980年當選為中國科學院院士，擔任中國共產黨第十二次全國代表大會代表、中華全國青年聯合會（簡稱全國青聯）第四屆委員會副主席，第二、第三、第四屆中國科協副主席，第三、第四、第五、第六、第七、第八屆全國人民代表大會（簡稱全國人大）代表，第三、第七、第八屆全國人民代表大會常務委員會（簡稱全國人大常委會）委員。林蘭英院士懷著對祖國和人民的無限熱愛，懷著建設新中國的強烈愿望，放棄國外優越的科學實驗條件和優厚的物質生活待遇，毅然沖破重重阻撓，回到了自己的祖國，滿腔熱情地投身于祖國科學技術研究事業。剛回國時，面對簡陋的實驗條件、微薄的科研經費，她沒有灰心，仍然對科研工作充滿信心。她說：“我們要有民族自尊心、愛國心、高度責任感，敢于向世界水平沖擊”， “要有自力更生精神，有敢于走自己道路的勇氣”。她和同事們同心同德、艱苦奮斗、鍥而不舍、銳意進取，對我國研制成功鍺、硅元素半導體單晶材料，銻化鎵、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵等化合物半導體材料作出了重要貢獻，在開拓我國太空砷化鎵單晶材料的實驗與特性研究方面成績卓著，被人們譽為“中國太空材料之母”。
林蘭英院士胸懷大志，腳踏實地，堅忍不拔，勇攀科學高峰。她不僅勤奮、扎實、深入地學習和鉆研數學、物理等學科理論，更重視實踐，并在實踐中不斷探索。她在向科學進軍的崎嶇道路上，不畏艱難險阻，奮勇當先。她曾說過：“我們科學工作者，不怕起點低，只要有信心、有毅力去研究，以科學的態度對待科學的問題，一定能如愿以償，做出高水平的研究成果來。”在她的指導和組織下，她和同事們創造出許多個“中國第一”：第一根硅單晶、第一根無位錯硅單晶、第一臺高壓單晶爐、第一根磷化鎵（GaP）單晶、第一片單異質SOI （絕緣襯底上的硅）結外延材料和第一片雙異質SOI外延材料等。她指導的在太空衛星上從溶體中生長出砷化鎵（GaAs）單晶，在世界上首先取得成功。她指導的高純GaAs液相外延和氣相外延材料研究，達到國際先進水平。她還組織研制出世界第一臺雙離子束外延設備。林蘭英院士還致力于將科學技術轉化為現實的生產力，為半導體材料研究成果的產業化不辭辛勞，多方奔波。林蘭英這三個字將永遠與我國科學技術的發展歷史聯系在一起。前國務委員，中國科學院黨組書記、副院長張勁夫同志在他所著的《請歷史記住》一書中，回顧了林蘭英院士對“兩彈一星”作出的重要貢獻。
林蘭英院士希望科學事業后繼有人、群星璀璨，因此甘為人梯、培養人才。40多年來，她傾注心血，精心指導，培養出一大批半導體物理和材料的高水平的科研和教學人才。她十分重視培養年輕人愛祖國、愛人民、愛科學的思想；她重視培養年輕人的戰略思維；她總是倡導學術自由，熱情鼓勵、大力支持年輕人大膽創新；她總是身體力行，以嚴謹求實、一絲不茍的行為影響和教育年輕人，因而在她的周圍已經形成了一個老中青三代和諧結合在一起的研究集體。林蘭英院士顧全大局，以事業為重，團結合作，注重發揮集體的智慧去攻克科學技術的難關。在她指導和組織完成的許多項科研工作中，與院內外很多研究單位有過協作，關系都非常和諧、融洽，形成凝聚力，取得豐碩科研成果。林蘭英院士把畢生的精力獻給了我國半導體科學事業。在她的不懈努力和推動下，我國的半導體科學技術研究與開發工作取得了舉世矚目的成就。她的逝世是我國科學和教育事業的一大損失。
林蘭英院士不僅是一位出色的科學家，也是一位合格的社會活動家。她從來不把各種社會職務作為榮譽來炫耀，而是認認真真地履行應盡的職責。例如，在擔任全國人大常委會委員期間，她主動了解社會，反映社情民意，為維護廣大群眾的利益大聲疾呼，為發展科學事業獻言立論，為社會主義民主法制建設獻計獻策。林蘭英院士在攀登科學高峰的歷程中，不僅取得了豐碩的科研成果，而且留下了令人敬仰的高尚品德。她有強烈的愛國主義精神和民族自尊心，頑強拼搏，自強不息；她不為名，不為利，一心為事業，一心為人民；她胸懷坦蕩，光明磊落，剛強正直，表里如一；她謙虛謹慎，虛懷若谷，寬以待人，團結合作；她艱苦樸素，勤儉節約，嚴于律己，廉潔奉公；她獻身科學，埋頭苦干，鞠躬盡瘁，死而后已。這些優秀思想品質是她留給我們的寶貴精神財富。
林蘭英院士帶著拳拳赤子之心，帶著對我國半導體科學事業的不懈追求，也帶著我們無盡的哀思與眷戀離去了。但是，她開創的半導體科學事業將繼續服務于人民，服務于社會主義現代化建設；她崇高的思想品質將繼續在我國科學技術事業發展過程中發揚光大。
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